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退火工艺对SiN膜及SiO2/SiN双层膜钝化特性的影响
引用本文:章曙东,周国华,张光春,施正荣,朱拓.退火工艺对SiN膜及SiO2/SiN双层膜钝化特性的影响[J].江南大学学报(自然科学版),2008,7(2):183-186.
作者姓名:章曙东  周国华  张光春  施正荣  朱拓
作者单位:1. 江南大学,通信与控制工程学院,江苏,无锡,214122
2. 尚德太阳能电力有限公司,江苏,无锡,214028
3. 尚德太阳能电力有限公司,江苏,无锡,214028;江南大学,理学院,江苏,无锡,214122
4. 江南大学,理学院,江苏,无锡,214122
摘    要:针对硅太阳电池的背表面钝化,研究了在多晶硅P型衬底上SiN膜及SiO2/SiN双层膜的热稳定性及在不同温度下两种膜的退火特性.通过准稳态光电导衰减法测试其少数载流子寿命,发现SiN膜比较适合于在500℃以内的温度下进行常规炉热退火,而SiO2/SiN双层膜则比较适合在600~700℃之间的温度下进行常规炉热退火.对SiN膜进行链式炉热退火实验表明,低温(700~850℃)条件下表面钝化效果最好.

关 键 词:背面钝化  SiN膜  SiO2/SiN双层膜  退火
文章编号:1671-7147(2008)02-0183-04
修稿时间:2007年1月10日

Influence of Anneal Treatment on the Passivation Characterizations of SiN Film and SiO2/ SiN Double-Layer Film
ZHANG Shu-dong,ZHOU Guo-hua,ZHANG Guang-chun,SHI Zheng-rong,ZHU Tuo.Influence of Anneal Treatment on the Passivation Characterizations of SiN Film and SiO2/ SiN Double-Layer Film[J].Journal of Southern Yangtze University:Natural Science Edition,2008,7(2):183-186.
Authors:ZHANG Shu-dong  ZHOU Guo-hua  ZHANG Guang-chun  SHI Zheng-rong  ZHU Tuo
Abstract:
Keywords:rear surface passivation  SiN film  SiO2/ SiN double-layer film  annealing
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