| BN坩埚中的AIN单晶生长 |
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| 引用本文： | 李娟 胡小波 姜守振 王英民 宁丽娜 陈秀芳 徐现刚 王继扬 蒋民华. BN坩埚中的AIN单晶生长[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 435-436 |
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| 作者姓名： | 李娟 胡小波 姜守振 王英民 宁丽娜 陈秀芳 徐现刚 王继扬 蒋民华 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.50472068）和教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目 |
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| 摘 要： | AIN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表，具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在制作大功率微电子器件和紫外探测器等方面，具有广泛的应用前景。AIN在光电子领域的应用潜力也不容忽视。AIN作为GaN材料的衬底，与目前广泛使用的SiC和宝石衬底相比，具有晶格失配位错密度低、热导率高、热膨胀系数差别小等优点，因而能大大提高GaN器件的性能和使用寿命。目前，各国竞相投入大量的人力、物力进行AIN单晶的研究工作。我国在这方面还鲜有报道。本文报道了山东大学在AIN单晶生长探索方面取得的一些进展。
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| 关 键 词： | 单晶生长 AIN 宽带隙半导体材料 微电子器件 GaN材料 坩埚 BN 高热导率 紫外探测器 光电子领域 |
| 收稿时间： | 2006-01-09 |
| 修稿时间： | 2006-01-09 |
Growth of AIN Single Crystals in BN Crucible |
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| LI Juan, HU Xiao-bo, JIANG Shou-zhen, WANG Ying-min,NING Li-na, CHEN Xiu-fang, XU Xian-gang, WANG Ji-yang, JIANG Min-hua. Growth of AIN Single Crystals in BN Crucible[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(2): 435-436 |
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| Authors: | LI Juan HU Xiao-bo JIANG Shou-zhen WANG Ying-min NING Li-na CHEN Xiu-fang XU Xian-gang WANG Ji-yang JIANG Min-hua |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100 ,China |
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