| Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 |
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| 引用本文： | 李超群,张振中,谢修华,陈洪宇,申德振. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响[J]. 发光学报, 2014, 0(12): 1405-1409 |
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| 作者姓名： | 李超群 张振中 谢修华 陈洪宇 申德振 |
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| 作者单位： | 1. 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春摇 130033; 中国科学院大学，北京摇 100049
2. 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春摇,130033 |
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| 基金项目： | 基金项目:国家自然科学基金，国家“973计划冶 |
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| 摘 要： | 通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO∶Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中MgxZn1-xO∶Ga薄膜的光学带隙随x增大而出现的蓝移证实了Mg在Zn O晶格中的替位掺入。薄膜上金叉指电极间的变温I-V曲线显示,在同等温度下,Ga掺杂MgxZn1-xO薄膜的电阻率随着x值的增大而逐渐升高。这是由于Mg组分增大使材料的导带底显著上升,Ga的施主能级深度增大,导致n型载流子浓度降低。根据I-V曲线计算了270 K温度下MgxZn1-xO∶Ga薄膜的浅能级施主深度。与x=0,0.03,0.14对应的施主能级深度分别为45.3,58.5,65 me V,说明随着薄膜Mg含量的升高,Ga的施主能级深度有增加的趋势。
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| 关 键 词： | MgZnO Ga掺杂 能级深度 电阻 |
Influence of Mg Content on The Electrical Property of Mg x Zn1-x O:Ga Films |
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| LI Chao-qun , ZHANG Zhen-zhong , XIE Xiu-hua , CHEN Hong-yu , SHEN De-zhen. Influence of Mg Content on The Electrical Property of Mg x Zn1-x O:Ga Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 0(12): 1405-1409 |
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| Authors: | LI Chao-qun ZHANG Zhen-zhong XIE Xiu-hua CHEN Hong-yu SHEN De-zhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MgZnO Ga doped ionization energy resistivity |
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