| 聚乙炔离子注入掺杂及电性能的研究 |
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| 引用本文： | 林森浩,鲍锦荣,荣廷文,盛康龙,邹志宜,朱新芳,王玟珉,万洪和,沈之荃,杨慕杰.聚乙炔离子注入掺杂及电性能的研究[J].中国科学B辑,1991(5). |
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| 作者姓名： | 林森浩 鲍锦荣 荣廷文 盛康龙 邹志宜 朱新芳 王玟珉 万洪和 沈之荃 杨慕杰 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海原子核研究所，中国科学院上海原子核研究所，中国科学院上海原子核研究所，中国科学院上海原子核研究所，中国科学院上海原子核研究所，中国科学院上海原子核研究所，中国科学院上海原子核研究所，中国科学院上海原子核研究所，浙江大学化学系，浙江大学化学系 上海 201800，上海 201800，上海 201800，上海 201800，上海 201800，上海 201800，上海 201800，上海 201800，杭州 310027，杭州 310027 |
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| 摘 要： | 本文用Ar~+,Fe~+,Cl~+,I~+,Na~+和K~+等离子束,在15—30keV能量范围内注入聚乙炔薄膜,剂量为1×10~(13)-3×10~(17)cm~(-2).借助红外光谱、卢瑟福背散射分析及四探针等测试方法,考察了离子注入诱导聚乙炔膜的化学结构及导电性能的变化,检测了化学掺杂与离子注入杂质的深度分布和p-n结的形成,并在此基础上探讨了离子束与聚合物相互作用过程的机理.
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| 关 键 词： | 聚乙炔 离子注入 |
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