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5.2GHz 0.18μm CMOS射频低噪声放大器的设计
引用本文:周盛华,叶有祥,李海华.5.2GHz 0.18μm CMOS射频低噪声放大器的设计[J].中国集成电路,2010,19(12):60-63,87.
作者姓名:周盛华  叶有祥  李海华
作者单位:中国计量学院光电学院,杭州310018
基金项目:中国计量学院高教所项目
摘    要:采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计应用于IEEE 802.11a的无线局域网络的低噪声放大器(LNA)。整个电路采用1.8V单电源供电,输入输出匹配良好。用ADS模拟软件对电路进行分析优化,结果表明:在中心频率5.2GHz处,噪声系数为2.51dB,功率增益为17.373dB。

关 键 词:CMOS工艺  低噪声放大器  噪声系数  ADS
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