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高精度带隙基准电压源的实现
引用本文:江金光,王耀南.高精度带隙基准电压源的实现[J].半导体学报,2004,25(7):852-857.
作者姓名:江金光  王耀南
作者单位:湖南大学电气与信息工程学院 长沙410082 (江金光),湖南大学电气与信息工程学院 长沙410082(王耀南)
基金项目:国家自然科学基金 , 高等学校博士学科点专项科研项目
摘    要:提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0~ +80℃温度范围内温度系数为 3e - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .该电路采用台积电 (TSMC) 0 .35 μm、3.3V/ 5 V、5 V电源电压、2层多晶硅 4层金属 (2 P4 M)、CMOS工艺生产制造 ,芯片中基准电压源电路面积大小为 0 .6 5 4 mm× 0 .340 mm,功耗为 5 .2 m W.

关 键 词:高精度    电流补偿    温度补偿    温度系数    带隙基准电压源
文章编号:0253-4177(2004)07-0852-06
修稿时间:2003年7月26日

Realization of High Precision Bandgap Reference
Jiang Jinguang and Wang Yaonan.Realization of High Precision Bandgap Reference[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(7):852-857.
Authors:Jiang Jinguang and Wang Yaonan
Abstract:
Keywords:high precision  current compensation  temperature compensation  temperature coefficient  bandgap reference
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