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| 用扫描电镜观察氧化铅靶层P-I-N结 | |
| 引用本文： | 孔光临,邓礼生,冯紫英,陆颖,郁春英.用扫描电镜观察氧化铅靶层P-I-N结[J].电子与信息学报,1979,1(3):141-143. |
| 作者姓名： | 孔光临 邓礼生 冯紫英 陆颖 郁春英 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (孔光临，邓礼生)，中国科学院电子学研究所 (冯紫英，陆颖)，中国科学院电子学研究所(郁春英) |
| 摘 要： | 正 氧化铅摄象管靶是一种有结光电导靶。为了保证靶的暗电流、灵敏度、分辨力等性能,这种靶应具有P-I-N结构。在靠近透明电极一面应为很薄的N型区;靶的主要部分应为电阻率较高的本征层(Ⅰ层);而在邻近自由表面处则应该是很薄的P层。为了充分发挥有结光电导靶的性能,有必要直接观察判断P-I-N结。但是由于氧化铅靶实际上是一个微晶组成的疏松层,所以观察单晶半导体结的通常方法在这里已不适用。多年来未见有报道这方面的观察结果,其原因或许就是直接观察不容易。近年来,我们试用扫描电子显 |
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