| SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究 |
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| 引用本文： | 王德君,赵亮,朱巧智,马继开,陈素华,王海波.SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究[J].半导体学报,2008,29(5). |
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| 作者姓名： | 王德君 赵亮 朱巧智 马继开 陈素华 王海波 |
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| 作者单位： | 大连理工大学电子与信息工程学院,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，辽宁省自然科学基金，教育部跨世纪优秀人才培养计划，教育部留学回国人员科研启动基金 |
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| 摘 要： | 采用角依赖X射线光电子谱技术(ADXPS)对高温氧化SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究.通过控制1%浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间,制备出超薄膜(1～1.5nm)样品,同时借助标准物对照分析,提高了谱峰分解的可靠性.结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面,同时存在着Si1+,Si2+,Si33+3种低值氧化物,变角分析表明,一个分层模型适合于描述该过渡区的成分分布.建立了过渡区的原子级模型并计算了氧化膜厚度.结合过渡区各成分含量的变化及电容-电压(C-V)测试分析,揭示了过渡区成分与界面态的直接关系.
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| 关 键 词： | SiO2/SiC界面 4H-SiC ADXPS 界面态 缺陷 |
A Transition Region Study of SiO2/4H-SiC Interface by ADXPS |
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| Wang Dejun,Zhao Liang,Zhu Qiaozhi,Ma Jikai,Chen Suhua,Wang Haibo.A Transition Region Study of SiO2/4H-SiC Interface by ADXPS[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(5). |
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| Authors: | Wang Dejun Zhao Liang Zhu Qiaozhi Ma Jikai Chen Suhua Wang Haibo |
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