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| GeⅢ实激发组态4p5p及偶宇称高激发态能级的理论计算 | |
| 引用本文： | 梁良,王永昌.GeⅢ实激发组态4p5p及偶宇称高激发态能级的理论计算[J].原子与分子物理学报,1996,13(4):443-450. |
| 作者姓名： | 梁良 王永昌 |
| 作者单位： | 西安建筑科技大学物理教研室(梁良)，西安交通大学理学院(王永昌) |
| 摘 要： | 利用多通道量子数损理论（ＭＱＤＴ）对二价锗离子ＧｅⅢ偶宇称１１个Ｒｙｄｂｅｒｇ序列的高激发能级进行了计算和分析，预言了各序列ｎ＜５０的高激发态能级的位置，讨论了实激态对主序列的干扰，首次预言了实激发组态４ｐ５ｐ各谱项的位置。 |
| 关 键 词： | GeⅢ 能级 多通道量子亏损理论 |
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