| 采用增强P阱和双层外延来抑制寄生双极型晶体管效应的高可靠性RF-LDMOS设计 |
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| 引用本文： | 徐向明,黄景丰,遇寒,钱文生,周正良,韩波,王勇,王鹏飞,张卫.采用增强P阱和双层外延来抑制寄生双极型晶体管效应的高可靠性RF-LDMOS设计[J].半导体学报,2015,36(6):064013-6. |
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| 作者姓名： | 徐向明 黄景丰 遇寒 钱文生 周正良 韩波 王勇 王鹏飞 张卫 |
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| 基金项目： | 国家基础研究重大项目基金 |
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| 摘 要： | 近20年来，横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS）技术在无线通信基站应用中占据着主导性优势，器件鲁棒性是射频LDMOS最为重要的要求之一，因为器件被使用于非常严酷的电气及发热的环境之中。本文研究了一种采用增强P阱和双层外延来抑制寄生双极型晶体管效应的RF-LDMOS器件，在改善鲁棒性的同时保持器件在高频应用下的高性能。基于此设计，采用基于0.35um CMOS的工艺技术制造了一种应用于全球移动通信系统（GSM）的RF LDMOS器件。实验结果表明，该器件实现击穿电压高于70V，输出功率180W，线性增益高于20dB，在920MHz频率下的附加功率效率高于70%，尤其这个器件能够通过在32V直流供电，功率输出在10-dB压缩点及电压驻波比20:1负载失配条件下的测试，与传统器件结构相比，器件的鲁棒性得到显著的提高。
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| 关 键 词： | RF power LDMOS semiconductor device ruggedness reliability |
Design of high reliability RF-LDMOS by suppressing the parasitic bipolar effect using enhanced p-well and double epitaxy |
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| Xu Xiangming,Huang Jingfeng,Yu Han,Qian Wensheng,Zhou Zhengliang,Han Bo,Wang Yong,Wang Pengfei and Wei Zhang.Design of high reliability RF-LDMOS by suppressing the parasitic bipolar effect using enhanced p-well and double epitaxy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2015,36(6):064013-6. |
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| Authors: | Xu Xiangming Huang Jingfeng Yu Han Qian Wensheng Zhou Zhengliang Han Bo Wang Yong Wang Pengfei and Wei Zhang |
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| Institution: | 1. State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 201203, China;HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201203, China;2. HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201203, China;3. HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201203, China;School of Computer and Information Engineering, Fuyang Teachers College, Fuyang 236037, China;4. State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 201203, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF power LDMOS semiconductor device ruggedness reliability |
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