| 表面敏化TiO2基复合薄膜的能带结构与光致电荷转移的研究 |
| |
| 引用本文： | 董江舟,赵峻岩,巢晖,曹亚安. 表面敏化TiO2基复合薄膜的能带结构与光致电荷转移的研究[J]. 化学学报, 2011, 69(23): 2781-2786. DOI: 10.6023/A1105031 |
| |
| 作者姓名： | 董江舟 赵峻岩 巢晖 曹亚安 |
| |
| 作者单位： | (1南开大学物理学院 天津 300071)(2中山大学化学与化学工程学院 广州 510275) |
| |
| 摘 要： | 采用离子束溅射方法制备出TiO2/ITO, Zr4＋掺杂的TiO2(TiO2-Zr)/ITO和ZrO2/TiO2/ITO复合薄膜. 利用表面敏化方法制备出(1,10-邻菲咯啉)2(3,4,5-三氟苯基)咪唑并[5,6-f]邻菲咯啉钌混配配合物[Rup2O](p＝1,10-邻菲咯啉, O＝(3,4,5-三氟苯基)咪唑并[5,6-f]邻菲咯啉)/TiO2/ITO, Rup2O/TiO2-Zr/ITO和Rup2O/ZrO2/TiO2/ITO表面敏化TiO2基复合薄膜. 表面光电压谱(SPS)表明, 表面敏化TiO2基复合薄膜在400～600和350 nm产生的SPS响应峰的峰高比与TiO2基复合薄膜的结构密切相关. 利用电场诱导表面光电压谱(EFISPS)确定了复合薄膜的能带结构, 其结果分析表明, 400～600 nm的SPS响应峰主要源于Rup2O分子的中心离子Ru 4d能级到配体邻菲咯啉p1*和配体咪唑并邻菲咯啉p2*跃迁|TiO2禁带内Zr4＋掺杂能级的存在减小了光生载流子的复合, 增加导带光生电子的数量|ZrO2/TiO2异质结构的存在有利于光生电子向ITO表面的转移, 从而导致400～600 nm和350 nm SPS响应峰的峰高比的增加, 意味着光致电荷转移效率的提高.
|
| 关 键 词： | Rup2O 表面敏化 TiO2-Zr/ITO ZrO2/TiO2/ITO 光致电荷转移 |
Band Structure and Photo-induced Charge Transfer in Surface-sensitized TiO_2-based Composite Films |
| |
| DONG Jiang-Zhou,ZHAO Jun-Yan,CHAO Hui,CAO Ya-An. Band Structure and Photo-induced Charge Transfer in Surface-sensitized TiO_2-based Composite Films[J]. Acta Chimica Sinica, 2011, 69(23): 2781-2786. DOI: 10.6023/A1105031 |
| |
| Authors: | DONG Jiang-Zhou ZHAO Jun-Yan CHAO Hui CAO Ya-An |
| |
| Affiliation: | (1 School of Physics, Nankai University, Tianjin 300071)(2Institute of Chemical and Chemical Engineering, Zhongshan University, Guangzhou 510257) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Rup2O surface-sensitized TiO2-Zr/ITO TiO2/ZrO2/ITO photo-induced interfacial electron transfer |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《化学学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《化学学报》下载全文 |
|
