| 宽带隙化合物半导体Zn1-xMgxO薄膜的制备 |
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| 引用本文： | 边楠,张晓丹,张霞,赵颖,杨瑞霞.宽带隙化合物半导体Zn1-xMgxO薄膜的制备[J].人工晶体学报,2008,37(6):1361-1364. |
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| 作者姓名： | 边楠 张晓丹 张霞 赵颖 杨瑞霞 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津 300071;河北工业大学信息学院,天津,300130;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津 300071;河北工业大学信息学院,天津,300130 |
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| 基金项目： | 天津市自然科学基金，天津市重点科研项目，国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，南开大学校科研和教改项目，科技部国际科技合作计划，国家高技术研究发展计划(863计划)，教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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| 摘 要： | 利用超声雾化热分解技术,在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜.所有样品在可见光范围内的透过率可达到85;以上.X射线衍射的测试结果表明所有样品都具有c轴择优生长特性,并且随薄膜中Mg含量的不同出现规律性变化.光致发光谱表明Mg掺入后ZnO薄膜的紫外发射峰出现了蓝移,实现了对禁带宽度的调节.
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| 关 键 词： | 超声喷雾热分解 Zn1-xMgxO薄膜 宽带隙半导体 禁带宽度 |
Fabrication of Wide Band-gap Semiconductor Zn1-xMgxO Thin Film |
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| BIAN Nan,ZHANG Xiao-dan,ZHANG Xia,ZHAO Ying,YANG Rui-xia.Fabrication of Wide Band-gap Semiconductor Zn1-xMgxO Thin Film[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(6):1361-1364. |
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| Authors: | BIAN Nan ZHANG Xiao-dan ZHANG Xia ZHAO Ying YANG Rui-xia |
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