| 过渡金属 X（ X=Cr、Mn、Fe、Tc、Re ）掺杂Janus Ga2SSe 的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 张基麟,梁前,钱国林.过渡金属 X（ X=Cr、Mn、Fe、Tc、Re ）掺杂Janus Ga2SSe 的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2024,41(2):026007-180. |
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| 作者姓名： | 张基麟 梁前 钱国林 |
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| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61264004)； |
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| 摘 要： | 利用密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法，研究过渡金属X(X=Cr、Mn、Fe、Tc、Re)原子掺杂Janus Ga2SSe的磁性、电子性质及光学性质.研究表明：过渡金属掺杂Janus Ga2SSe体系在Chalcogen-rich条件下有着比Ga-rich条件下更好的稳定性.其中Mn掺杂体系形成能在两种条件下皆为最低.本征Ga2SSe是具有2.02 eV带隙的间接带隙半导体，在紫外区域有着很好的光伏吸收能力.与本征Ga2SSe相比，Cr掺杂体系自旋向上通道出现杂质能级，自旋向上与向下通道不对称，呈磁矩为2.797μB铁磁性半金属. Mn掺杂体系在其自旋向上通道产生的杂质能级，呈磁矩为3.645μB的磁性P型半导体. Fe掺杂体系自旋向下通道产生的杂质能级，呈磁矩为3.748μB磁性P型半导体.在Tc与Re掺杂后，带隙皆由间接变直接带隙，呈无磁性的P型半导体.从光学性质来看，各掺杂体系与未掺杂Ga2SSe在介电...
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| 关 键 词： | 二维Janus Ga2SSe 过渡金属掺杂 磁学性质 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2022/7/13 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/8/1 0:00:00 |
First-principles study on the transition metal atoms X (X = Mn, Tc, Re) doped Janus Ga2SSe materials |
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| Zhang Ji-Lin,Liang Qian and Qian Guo-Lin.First-principles study on the transition metal atoms X (X = Mn, Tc, Re) doped Janus Ga2SSe materials[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2024,41(2):026007-180. |
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| Authors: | Zhang Ji-Lin Liang Qian and Qian Guo-Lin |
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| Institution: | GuiZhou University |
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| Keywords: | two-dimensional Janus Ga2SSe transition metal doping magnetic properties electronic structure optical properties |
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