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CO在Ni(100)表面活化及硫中毒机理的ASED—MO研究
作者姓名:曹培林  施丹华
作者单位:浙江大学物理系
基金项目:部分得到中国科学院基金资助
摘    要:本文应用原子交迭和电子离域-分子轨道(ASED-MO)理论,研究了CO在Ni(100)表面活化及硫中毒机理。计算结果表明,CO顶位吸附比四度中心位吸附有更大的结合能。当CO分子被吸附于顶位时,其2π反键轨道将获得0.72个电子,解离能将从自由CO分子的11.1eV降到2.15eV。当吸附于四度中心位时,2π轨道将获得1.22个电子,解离能进一步降到1.85eV。由此看来,吸附于四度中心位的CO分子将具有更大的活性。当Ni(100)面上同时存在S原子吸附时,不同相对位置CO吸附结合能的计算结果表明,一个吸附S原子将“堵塞”四个最近邻顶位和四个最近邻中心位对CO的吸附作用,而对更远一些的吸附位则没有什么影响。这些结果支持了被吸附S原子对CO吸附的影响主要是近程性“结构效应”的观点。被吸附S原子的上述“堵塞”作用,吸附S原子后CO激活吸附位的减少,及可能存在的其它因素,构成了Ni表面的硫中毒。 关键词

收稿时间:1984-08-20
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