InSb红外成象器的工艺进展

介绍了制备InSb红外探测器列阵所需要的半导体工艺。业已成功地制备了高质量的MOS(金属—氧化物—半导体)、MOSFET(金属—氧化物—半导体场效应晶体管)以及线列和二维CID(电荷注入器件)列阵器件。确定了MOS电容的界面态密度小于5×10~(10)厘米~(-2)·电子伏~(-1)。这些结果意味着能够制备自扫描单块列阵。借助探测率(D~*)和响应率(R)对线列和二维CID列阵的性能进行了评价。测出了一个64元的线列的平均D~*为3.4×10~(11)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1),这个值相当于背景限D~*值的70%。R为1×10~(-5)伏/光子,其均匀性为10%。也得到了32×32元列阵的D~*和R值。