| AlInGaN合金的发光机制研究 |
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| 引用本文： | 董逊,黄劲松,黎大兵,刘祥林,徐仲英,王占国. AlInGaN合金的发光机制研究[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(6): 574-578 |
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| 作者姓名： | 董逊 黄劲松 黎大兵 刘祥林 徐仲英 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划《信息功能材料相关基础问题》(No.G2000683-06),国家自然科学基金(No.19974045) |
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| 摘 要： | 用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AlInGaN合金的发光机制.实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指数哀减函数来描述,表明材料中存在明显的无序.形成这种无序的原因是In组分不均产生的微结构(如量子点).伸展指数衰减函数中弥散指数β不仅不随温度变化,在250K也不随辐射能量变化,表明载流子的弥散过程由局域态之间的跳跃所主导.进一步实验表明局域态在250K时仍然表现出零维特性.
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| 关 键 词： | AlInGaN 时间分辨 量子点 局域态 |
| 文章编号： | 1000-985X(2003)06-0574-05 |
| 修稿时间： | 2003-07-07 |
Luminescence Mechanism Studies of AlInGaN Alloy |
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| DONG Xun,HUANG Jin-song,LI Da-bing,LIU Xiang-lin,XU Zhong-ying,WANG Zhan-guo. Luminescence Mechanism Studies of AlInGaN Alloy[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2003, 32(6): 574-578 |
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| Authors: | DONG Xun HUANG Jin-song LI Da-bing LIU Xiang-lin XU Zhong-ying WANG Zhan-guo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlInGaN time-resolved quantum dots localized states |
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