| 2D SnP3: 具有高载流子迁移率和光吸收率的范德瓦尔斯晶体 |
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| 引用本文： | 王 辰,胡 婷,阚二军.2D SnP3: 具有高载流子迁移率和光吸收率的范德瓦尔斯晶体[J].化学物理学报,2019,32(3):327-332. |
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| 作者姓名： | 王 辰 胡 婷 阚二军 |
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| 作者单位： | 南京理工大学应用物理系微结构能源研究所，南京 210094,南京理工大学应用物理系微结构能源研究所，南京 210094,南京理工大学应用物理系微结构能源研究所，南京 210094 |
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| 摘 要： | 本文基于第一性原理计算，预测了二维SnP3层作为新型半导体材料，具有0.71 eV(单层)和1.03 eV(双层)的间接带隙，这与体结构的金属特性不同. 值得注意的是，2D SnP3具有9.171×104 cm2?V-1?s-1的高空穴迁移率和对于整个可见光谱的高光吸收(∽106 cm-1)，这预示2D SnP3层有望成为纳米电子学和光电子学的候选材料. 有趣的是，本文发现2D SnP3双层具有与硅类似的电子和光学特性. 考虑到硅基微电子和光伏技术的巨大成功，本文的研究结果将有助于纳米领域的相关研究.
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| 关 键 词： | 磷化锡，电子结构， 第一性原理计算，半导体 |
| 收稿时间： | 2018/9/21 0:00:00 |
Two-Dimensional VDW Crystal SnP3 with High Carrier Mobility and Extraordinary Sunlight Absorbance |
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| Chen Wang,Ting Hu and Erjun Kan.Two-Dimensional VDW Crystal SnP3 with High Carrier Mobility and Extraordinary Sunlight Absorbance[J].Chinese Journal of Chemical Physics,2019,32(3):327-332. |
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| Authors: | Chen Wang Ting Hu and Erjun Kan |
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| Institution: | Department of Applied Physics and Institution of Energy and Microstructure, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China,Department of Applied Physics and Institution of Energy and Microstructure, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China and Department of Applied Physics and Institution of Energy and Microstructure, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Stannum phosphide Electronic properties First-principles calculations Semiconductor |
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