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| 薄膜晶体管透明电极铟锡氧化物雾状不良的分析研究 | |
| 引用本文： | 王守坤,郭总杰,袁剑峰,林承武,邵喜斌.薄膜晶体管透明电极铟锡氧化物雾状不良的分析研究[J].液晶与显示,2014,29(3):355-360. |
| 作者姓名： | 王守坤 郭总杰 袁剑峰 林承武 邵喜斌 |
| 作者单位： | 王守坤:北京京东方显示技术有限公司, 北京 100176 郭总杰:北京京东方显示技术有限公司, 北京 100176 袁剑峰:北京京东方显示技术有限公司, 北京 100176 林承武:北京京东方显示技术有限公司, 北京 100176 邵喜斌:北京京东方显示技术有限公司, 北京 100176 |
| 摘 要： | 对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究。通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析。结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致严重的雾状不良发生和刻蚀工艺中的膜层下端过度刻蚀的问题。通过在透明电极ITO上面沉积微薄的过渡缓冲膜层,并优化界面等离子体处理条件,可以改善雾状不良。 |
| 关 键 词： | 铟锡氧化物 薄雾不良 边缘场开关薄膜晶体管 等离子体化学气相沉积 氮化硅膜 透过率 |
| 收稿时间： | 2013/9/9 |
Analysis and improvement of haze Mura on Indium-Tin-Oxide thin film transistor electrode |
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| Abstract: | |
| Keywords: | indium-tin-oxide haze mura FFS-TFT PECVD silicon nitride thin films transmittance |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |