| Si掺杂β-Ga2O3的第一性原理计算与实验研究 |
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| 作者姓名： | 张易军 闫金良 赵刚 谢万峰 |
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| 作者单位： | 鲁东大学物理学院,烟台 264025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号:10974077),山东省自然科学基金 (批准号: ZR2009GM035)和山东省高等学校科技计划项目(批准号:J10LA08)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(USPP)法, 在广义梯度近似(GGA)下计算了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3的能带结构、电子态密度、差分电荷密度和光学特性. 在蓝宝石衬底(0001)晶面上用脉冲激光沉积(PLD)法制备了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3薄膜, 测量了其吸收光谱和反射光关键词：第一性原理超软赝势密度泛函理论2O3')" href="#">Si掺杂β-Ga2O3
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| 关 键 词： | 第一性原理 超软赝势 密度泛函理论 Si掺杂β-Ga2O3 |
| 收稿时间： | 2010-05-16 |
| 修稿时间： | 2010-07-01 |
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