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| CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响 | |
| 引用本文： | 张一心,李朝勇,李光平,何秀坤,卢存刚,李祖华.CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响[J].半导体学报,1992,13(7):438-447. |
| 作者姓名： | 张一心 李朝勇 李光平 何秀坤 卢存刚 李祖华 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083 (张一心，李朝勇)，机电部46所 天津300192 (李光平，何秀坤)，中国原子能科学研究院 北京102413 (卢存刚)，北京605厂 北京100022(李祖华) |
| 摘 要： | 本文研究了CZNTD Si中氧碳和缺陷-杂质复合体的热处理行为.分析了辐照和退火中的氧碳沉淀、缺陷-杂质复合体的形成、演变与施主的关系.确定了辐照施主是很少的,而主要是退火中形成的新施主,并且碳对这种施主起着强烈的促进作用. |
| 关 键 词： | 辐照 退火 氧 碳 施主 热处理 |
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