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低功耗异或门的设计
引用本文:张爱华,夏银水. 低功耗异或门的设计[J]. 浙江大学学报(理学版), 2008, 35(4): 409-411. DOI: 10.3785/j.issn.1008-9497.2008.04.012
作者姓名:张爱华  夏银水
作者单位:宁波大学电路与系统研究所,浙江,宁波315211
基金项目:国家自然科学基金 , 浙江省自然科学基金 , 浙江省宁波市自然科学基金
摘    要:在分析了现有典型的异或门电路的基础上,提出了基于传输管逻辑的低功耗异或门的设计.电路实现了内部节点信号的全摆幅,使之具有较强的驱动能力,且避免了后级反相器中亚阈功耗的产生,实现了电路的低功耗.在5、3.3、1.8V电源下,经PSPICE在0.24μm工艺下模拟,与已发表的异或门电路设计相比,新提出的电路功耗和功耗延迟积的改进分别高达36.5%和68.0%,说明本文设计的异或门电路在功耗和延迟方面具有优势.

关 键 词:低功耗  异或门  传输管  全摆幅  低功耗  异或门  电路设计  design  gate  优势  功耗延迟积  改进  电路功耗  模拟  工艺  PSPICE  电源  中亚  反相器  驱动能力  全摆幅  信号  节点  电路实现

LOW Power XOR gate design
ZHANG Ai-hua,XIA Yin-shui. LOW Power XOR gate design[J]. Journal of Zhejiang University(Sciences Edition), 2008, 35(4): 409-411. DOI: 10.3785/j.issn.1008-9497.2008.04.012
Authors:ZHANG Ai-hua  XIA Yin-shui
Abstract:
Keywords:
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