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P型长波Hg_(1-x)Cd_xTe材料MBE生长技术研究
引用本文:王善力,杨建荣,郭世平,于梅芳,陈新强,方维政,乔怡敏,袁诗鑫,何力,张勤耀,丁瑞军,辛田玲.P型长波Hg_(1-x)Cd_xTe材料MBE生长技术研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(5).
作者姓名:王善力  杨建荣  郭世平  于梅芳  陈新强  方维政  乔怡敏  袁诗鑫  何力  张勤耀  丁瑞军  辛田玲
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室半导体薄膜材料研究中心,中国科学院上海技术物理研究所
基金项目:国家863高技术和中国科学院资助
摘    要:用分子束外延的方法在GaAs(211)B衬底上研制了P型长波HgCdTe材料,及32×32小规模长波混成红外焦平面列阵,其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好.在适当的热处理条件下,材料P型电学参数达到了较高水平,并具有良好的可重复性

关 键 词:分子束外延,红外焦平面,P型HgCdTe

A STUDY OF MBE TECHNOLOGY FOR P TYPE LONG WAVELENGTH Hg 1- x Cd x Te
Wang Shanli Yang Jianrong Guo Shiping Yu Meifang Chen Xinqiang,Fang Weizheng Qiao Yimin Yuan Shixin He Li.A STUDY OF MBE TECHNOLOGY FOR P TYPE LONG WAVELENGTH Hg 1- x Cd x Te[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1996,15(5).
Authors:Wang Shanli Yang Jianrong Guo Shiping Yu Meifang Chen Xinqiang  Fang Weizheng Qiao Yimin Yuan Shixin He Li
Abstract:
Keywords:MBE  IRFPA  P  HgCdTe
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