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| 掺杂的PbTiO_3铁电陶瓷中的正电子湮没 | |
| 引用本文： | 李龙土,何元金,郁伟中.掺杂的PbTiO_3铁电陶瓷中的正电子湮没[J].物理,1982(12). |
| 作者姓名： | 李龙土 何元金 郁伟中 |
| 作者单位： | 清华大学化学与化工系 (李龙土)，清华大学工程物理系 (何元金)，清华大学工程物理系(郁伟中) |
| 摘 要： | 正电子湮没技林(PAT)在材料缺陷的研究中有着广泛的应用1].但它用于铁电陶瓷组分缺陷的研究则刚刚开始.Tsuda2,3]等研究了掺Gd的BaTiO3的正电子寿命谱,证明正电子对掺Gd所造成的Ba空位是敏感的.本文报道La,Mn复合置换的PbTiO3铁电陶瓷的正电子寿命谱测量结果.样品配料分子式为(Ph-(1-1.5x)其中表示Pb空位,x值从1%到10%.样品按陶瓷工艺制成20 ×20×1mm3薄方片.在室温(23℃)下进行正电子寿命测量,实验所用的ORTEC系列快定时系统正电子寿命谱仪在测量 CO～(60)的瞬发曲线时的半高宽(FWHM)为280ps. 用正电子拟合(POSITRONFIT… |
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