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| MOS结构中薄栅氧化层高场退火效应的研究 | |
| 作者单位： | 张进城（西安电子科技大学微电子研究所，西安710071） 郝跃（西安电子科技大学微电子研究所，西安 710071） 朱志炜（西安电子科技大学微电子研究所，西安 710071） |
| 基金项目： | 中国国防科技预研项目(批准号：8.5.3.4). |
| 摘 要： | 深入研究了MOS结构中薄栅氧化层在高电场下的退火效应，对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理进行了深入探讨.通过实验和模拟对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理和生长机理进行了比较，给出了满意的物理解释.负栅压退火和正栅压退火的比较表明负栅压退火更为有效. |
| 关 键 词： | MOS结构，薄栅氧化层，高场退火，退陷阱 |
| 修稿时间： | 2001-02-07 |
STUDY ON HIGH ELECTRIC FIELD ANNEALING EFFECT IN THIN GATE OXIDE OF MOS STRUCTURE |
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