| 研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的一种新方法 |
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| 引用本文： | 代月花,陈军宁,柯导明,胡媛.研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的一种新方法[J].中国科学技术大学学报,2007,37(11):1412-1416. |
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| 作者姓名： | 代月花 陈军宁 柯导明 胡媛 |
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| 作者单位： | 安徽大学电子科学与技术学院,安徽合肥,230039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;安徽省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法——摄动法.使用摄动法来求解泊松方程,使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起作用的耗尽层近似和页面电荷模型在求解过程中被避免,由此可以解得一个指数形式的亚阈值电流的表达式,从而得到关于亚阈值摆幅变化的解析表达式.通过把所建立的解析模型的计算结果和Medici仿真软件的模拟结果进行比较,可以证明该适用于分析亚阈值区工作特性的模型具有相当的准确性和可用性.
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| 关 键 词： | 摄动方程 表面电势 亚阈值特性 纳米尺寸MOSFETs |
| 文章编号： | 0253-2778（2007）11-1412-05 |
| 收稿时间： | 2006-11-01 |
| 修稿时间： | 2007-04-04 |
A new method for studying the subthreshold characteristics of nano-scaled MOSFETs |
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| DAI Yue-hua,CHEN Jun-ning,KE Dao-ming,HU Yuan.A new method for studying the subthreshold characteristics of nano-scaled MOSFETs[J].Journal of University of Science and Technology of China,2007,37(11):1412-1416. |
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| Authors: | DAI Yue-hua CHEN Jun-ning KE Dao-ming HU Yuan |
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| Abstract: | The regular perturbation method was employed to study the subthreshold characteristic of nano-scaled MOSFETs.By solving the Poisson equation with the regular perturbation method,the depletion approximation and charge-sheet model in the equation were avoided which are invalid in nano-scaled MOSFETs.This yielded a conventional exponential form of the subthreshold current,and the subthreshold swing was obtained analytically from this current equation.The validity of our model was verified by comparing ours with the results from the 2D device simulator Medici. |
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| Keywords: | regular perturbation surface potential subthreshold swing nano-scaled MOSFETs |
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