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制备条件对Pr123体系氧含量及正电子寿命谱影响
引用本文:曹桂新,李平林,刘永生,曹世勋,张金仓.制备条件对Pr123体系氧含量及正电子寿命谱影响[J].低温物理学报,2003,25(Z2):461-465.
作者姓名:曹桂新  李平林  刘永生  曹世勋  张金仓
作者单位:上海大学物理系,上海,200436
基金项目:国家自然科学基金,10274049,
摘    要:为了澄清Pr抑制超导电性机理及Pr占Ba位问题,本文研究了不同的制备条件下PrBa2Cu3O7-δ(Pr123)样品的物性,分析了电阻率和氧含量随烧结温度不同所表现出的变化.结果表明,烧结温度为880℃时样品的电阻率最低,高于920℃时,电阻率最大,同时也不利于体系吸氧,这可能是由于PrBa缺陷而引起.正电子寿命谱也因此表现出相应的变化规律.短寿命τ1参数和中间寿命τ2参数均在900℃出现最低峰值.由此可知,单从温度条件考虑,制备Pr123的最佳烧结温度应该为900℃左右.

关 键 词:正电子湮没  氧含量  PrBa缺陷

EFFECT OF SINTERING ATMOSPHERE AND TEMPERATURE ON OXYGEN CONTENT AND POSITRON LIFETIME OF Pr123
Abstract:
Keywords:
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