|
|||||
|
|
| 准分子激光诱导下 a-Si : H 膜的电导率异常 | |
| 引用本文： | 戴永兵,徐重阳,李兴教,安承武.准分子激光诱导下 a-Si : H 膜的电导率异常[J].华中科技大学学报(自然科学版),1998(3). |
| 作者姓名： | 戴永兵 徐重阳 李兴教 安承武 |
| 作者单位： | 华中理工大学电子科学与技术系，华中理工大学激光技术与工程研究院 |
| 摘 要： | 用ＸｅＣｌ准分子激光器对ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜进行了低能量密度下的辐照处理，测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化．研究表明，能量密度在７５ｍＪ／ｃｍ２附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高，这种电导率异常是膜表层形成了ｎｍＳｉ晶粒分散于ａ－Ｓｉ∶Ｈ基底中的混合相的反映． |
| 关 键 词： | 电导率异常 准分子激光 氢化非晶硅 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |