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| 用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷 | |
| 引用本文： | 陈志权,胡新文,王少阶.用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷[J].半导体学报,1998,19(3):185-190. |
| 作者姓名： | 陈志权 胡新文 王少阶 |
| 作者单位： | 武汉大学物理系 |
| 摘 要： | 本文测量了各种ＩｎＰ样品中的正电子寿命谱，用正电子湮没率连续分布测量（ＣＯＮ－ＴＩＮ分析）结合ＰＡＴＦＩＴ分析正电子寿命谱，肯定了在ｎ型和半绝缘型ＩｎＰ中有Ｉｎ空位ＶＩｎ和Ｐ空位ＶＰ，而在ｐ型ＩｎＰ中只观察到Ｉｎ空位ＶＩｎ．正电子寿命的温度关系表明所观察到的ｎ型和半绝缘型中的ＶＩｎ和ＶＰ以及ｐ型ＩｎＰ中的ＶＩｎ均为电中性．改进了常规的多普勒展宽谱仪．利用这一谱仪测量了ｎ型及半绝缘型ＩｎＰ的多普勒展宽谱，结合正电子寿命测量结果，观察到在掺Ｆｅ的半绝缘型ＩｎＰ中存在ＶＰ－Ｆｅ络合物 |
| 关 键 词： | 磷化铟 正电子湮没 缺陷 |
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