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| SiC器件工艺的发展状况 | |
| 引用本文： | 王姝睿,刘忠立.SiC器件工艺的发展状况[J].微电子学,2000,30(6):422-425. |
| 作者姓名： | 王姝睿 刘忠立 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京 100083 |
| 基金项目： | Progresses in SiC Device Technology |
| 摘 要： | 碳化硅（ＳｉＣ）是一种宽禁带半导体材料，适用于制作高压、高功率和高温器件，并可工作在从直流到微波频率范围。文章阐述了ＳｉＣ材料的性质，详细介绍了ＳｉＣ器件工艺（掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触）的最新进展，并指出了存在的问题及发展趋势。 |
| 关 键 词： | 碳化硅器件 半导体材料 半导体工艺 |
| 文章编号： | 1004-3365(2000)-06-0422-04 |
| 修稿时间： | 2000年3月6日 |
Progresses in SiC Device Technology |
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