| 快速退火对PZT铁电薄膜结构的影响 |
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| 引用本文： | 李振豪,王忠华,李琳,普朝光,杨培志.快速退火对PZT铁电薄膜结构的影响[J].人工晶体学报,2006,35(2):415-419. |
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| 作者姓名： | 李振豪 王忠华 李琳 普朝光 杨培志 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所,昆明,650223 |
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| 基金项目： | 云南省自然科学基金重点项目(No.2002C0008Z)资助 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出(PZT)铁电薄膜,在550℃、600℃、650℃、700℃几个温度下对薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射、原子力显微镜和热释电系数测试系统研究了PZT铁电薄膜的薄膜结构、表面形貌及热释电性能.在650℃快速退火后,PZT铁电薄膜已经形成较好的钙钛矿相结构,并获得了较好的热释电性能,热释电系数达到1.5×10-8C·cm-2·k-1.
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| 关 键 词： | 锆钛酸铅 铁电薄膜 快速退火 X射线衍射 原子力显微镜 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）02-0415-05 |
| 收稿时间： | 07 9 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-07-092005-09-22 |
Influence of Rapid Thermal Process on Structure of PZT Ferroelectric Thin Film |
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| LI Zhen-hao,WANG Zhong-hua,LI Lin,PU Chao-guang,YANG Pei-zhi.Influence of Rapid Thermal Process on Structure of PZT Ferroelectric Thin Film[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(2):415-419. |
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| Authors: | LI Zhen-hao WANG Zhong-hua LI Lin PU Chao-guang YANG Pei-zhi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PZT ferroelectric films RTP XRD AFM |
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