| 在［311］面上直接生长GaAs／AlAs的量子线结构及其光学性质 |
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| 引用本文： | 汪兆平 韩和相. 在［311］面上直接生长GaAs／AlAs的量子线结构及其光学性质[J]. 光散射学报, 1994, 6(1): 40-51 |
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| 作者姓名： | 汪兆平 韩和相 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 本文介绍在分子束外延系统中，沿［３１１］面原位生长ＧａＡｓ／ＡＩＡｓ量子线结构的一种简单方法及其拉曼和发光特性。这一方法能克服目前纳米尺度光刻技术的困难，因此，是一种制备低维样品的有希望的方法。
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| 关 键 词： | ［311］面，量子线，拉曼光谱，发光特性 |
Quantum well-Wire structure directly grown on [311] surface and its optical properties |
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| Wang Zhaoping and Han Hexiang. Quantum well-Wire structure directly grown on [311] surface and its optical properties[J]. Chinese Journal of Light Scattering, 1994, 6(1): 40-51 |
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| Authors: | Wang Zhaoping and Han Hexiang |
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| Abstract: | In this paper，a simple method grown in situ GaAs／AlAs quantum well wire strcture along [311] surface in MBE system and its Raman and lu-minescence properties are presented.This method can overcome the present difficulties associated with the nanoscale lithographic technique，thus，it is a hopeful method to fabricate the low dimension sample. |
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| Keywords: | [311] stirface Quanttim well wire Raman spectra luminescence propeties |
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