| 渠道火花烧蚀法制备In2O3:Mo透明导电薄膜 |
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| 引用本文： | 黄丽,李喜峰,张群,缪维娜,张莉,章壮健,华中一.渠道火花烧蚀法制备In2O3:Mo透明导电薄膜[J].半导体学报,2005,26(11):2133-2138. |
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| 作者姓名： | 黄丽 李喜峰 张群 缪维娜 张莉 章壮健 华中一 |
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| 作者单位： | 复旦大学材料科学系,上海,200433 |
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| 基金项目： | 致谢本项目是科技部中意国际重点合作项目的一部分,并得到意大利博洛尼亚纳米结构材料研究所（ISMN-Bo）的Taliani教授和Dediu博士在CSA仪器方面的热情帮助和建议,作者在此表示感谢. |
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| 摘 要： | 采用渠道火花烧蚀技术在普通玻璃基板上制备了掺钼氧化铟In2O3:Mo透明导电薄膜,研究了烧蚀时氧气压强对薄膜光电性能的影响.在基板温度Ts=350℃时,薄膜的电阻率和载流子浓度随氧气压强增大分别呈凹形和凸形的变化趋势.薄膜电阻率最小值是4.8×10-4Ω·cm,载流子浓度为7.1×1020 cm-3.载流子迁移率最高可达49.6cm2/(V·s).可见光区域平均透射率大于87%以上,由紫外光电子谱分析得到薄膜的表面功函数为4.6eV.X射线衍射分析表明,薄膜结晶性良好并在(222)晶面择优取向生长.原子力显微镜观察薄膜样品表面得到方均根粗糙度为0.72nm,平均粗糙度为0.44nm,峰谷最大差值为15.4nm.
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| 关 键 词： | In2O3:Mo 渠道火花烧蚀 功函数 紫外光电子谱 渠道 烧蚀 法制 透明导电薄膜 Ablation Spark Channel Thin Films Indium Oxide 最大差值 峰谷 平均粗糙度 表面功函数 薄膜样品 显微镜 原子力 取向生长 晶面 薄膜结晶性 分析表 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）11-2133-06 |
| 收稿时间： | 2005-03-03 |
| 修稿时间： | 2005-05-27 |
Preparation of Molybdenum-Doped Indium Oxide Thin Films by Channel Spark Ablation |
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| Huang Li,Li Xifeng,Zhang Qun,Miao Weina,Zhang Li,Zhang Zhuangjian,Hua Zhongyi.Preparation of Molybdenum-Doped Indium Oxide Thin Films by Channel Spark Ablation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11):2133-2138. |
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| Authors: | Huang Li Li Xifeng Zhang Qun Miao Weina Zhang Li Zhang Zhuangjian Hua Zhongyi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molybdenum-doped indium oxide channel spark ablation work function ultraviolet photoelectron spectroscopy |
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