| 生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 徐庆安,张景文,杨晓东,巨楷如,贺永宁,侯洵. 生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 248-252 |
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| 作者姓名： | 徐庆安 张景文 杨晓东 巨楷如 贺永宁 侯洵 |
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| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安,710068;中国科学院研究生院,北京,100039;西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049;西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049;中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安,710068;西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049;河南大学物理与信息光电子学院,开封,475000 |
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| 基金项目： | 教育部985工程2期、211工程2期，河南省杰出人才基金(0421001500)，教育部博士点基金(20030698008)资助项目 |
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| 摘 要： | 在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析.测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差.说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 生长温度 激光分子束外延 X射线衍射 光致发光谱 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）02-0248-05 |
| 收稿时间： | 2005-09-12 |
| 修稿时间： | 2005-09-12 |
Effect of Growth Temperature on the Properties of ZnO Thin Films Prepared by Laser Molecular Beam Epitaxy |
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| XU Qing-an,ZHANG Jing-wen,YANG Xiao-dong,JU Kai-ru,HE Yong-ning,HOU Xun. Effect of Growth Temperature on the Properties of ZnO Thin Films Prepared by Laser Molecular Beam Epitaxy[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(2): 248-252 |
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| Authors: | XU Qing-an ZHANG Jing-wen YANG Xiao-dong JU Kai-ru HE Yong-ning HOU Xun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO film growth temperature L-MBE XRD PL spectra |
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