| VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究 |
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| 引用本文： | 尚泽仁,张建军,张丽萍,胡增鑫,孙建,薛俊明,赵颖,耿新华.VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究[J].光电子．激光,2008,19(8). |
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| 作者姓名： | 尚泽仁 张建军 张丽萍 胡增鑫 孙建 薛俊明 赵颖 耿新华 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息科学与技术教育部重点实验室,天津300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划“973”资助项目(2006CB202602,2006CB202603); 国家自然科学基金重点资助项目(60437030); 教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(2005)546) |
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| 摘 要： | 以SiH4和GeF4为反应气体，采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）方法制备了P型微晶硅锗（P-μc-Sil-xGex）薄膜。研究GeF4浓度对P型微晶硅锗材料组分、结构及电学特性的影响。随GeF4浓度的增加，薄膜中的锗含量增加，暗电导和晶化率先增加，后减小；在薄膜厚度为72nm，GeF4浓度为4％时，得到了电导率达1．68s／cm，激活能为0．047eV，晶化率为60％，在长波区域的平均透过率超过0．9的P型微晶硅锗。
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| 关 键 词： | P型微品锗硅 VHF-PECVD 窗口层 太阳电池 |
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