| 100 mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究 |
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| 引用本文： | 高汉超,尹志军,张朱峰.100 mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究[J].人工晶体学报,2015,44(2):567-570. |
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| 作者姓名： | 高汉超 尹志军 张朱峰 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016 |
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| 摘 要： | 研究了100 mm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制.通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性.12个样品方阻的标准差为0.53;,全部偏差1.66;.通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗粒,样品表面颗粒数量减小到612/片,这些参数均达到或超过国外主流外延厂商水平.
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| 关 键 词： | GaAs赝配高电子迁移晶体管 分子束外延 控制 稳定性 |
Research on Growth Stability Control of 100 mm GaAs PHEMT Epitaxial Material |
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| GAO Han-chao;YIN Zhi-jun;ZHANG Zhu-feng.Research on Growth Stability Control of 100 mm GaAs PHEMT Epitaxial Material[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(2):567-570. |
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| Authors: | GAO Han-chao;YIN Zhi-jun;ZHANG Zhu-feng |
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| Institution: | GAO Han-chao;YIN Zhi-jun;ZHANG Zhu-feng;Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute; |
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