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| 涂层导体CeO2过渡层的稳定性研究 | |
| 引用本文： | 王书明,张华,杨坚.涂层导体CeO2过渡层的稳定性研究[J].中国稀土学报,2013(5):621-626. |
| 作者姓名： | 王书明 张华 杨坚 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院分析测试中心 |
| 基金项目： | 国家973项目(2011CBA00105)资助 |
| 摘 要： | 采用反应溅射法制备涂层导体用CeO2过渡层,重点对不同水分压下制备的CeO2种子层,以及YBCO超导层沉积过程中CeO2帽子层的稳定性进行了分析。采用X射线分析相组成变化以及晶体取向,通过扫描电镜观察表面形貌。结果表明,水分压对CeO2生长影响较大,水分压太小会导致缺氧相CeO2-x(0 |
| 关 键 词： | CeO2 缺氧相 水分压 稳定性 |
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