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边缘修饰的石墨烯纳米带电子特性的第一性原理研究
引用本文:江帆,何珊. 边缘修饰的石墨烯纳米带电子特性的第一性原理研究[J]. 原子与分子物理学报, 2011, 28(6): 1137-1142
作者姓名:江帆  何珊
作者单位:华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学电子科学与技术系
摘    要:本文采用第一性原理计算方法,研究了zigzag型石墨烯纳米带在边缘采用不同基团(包括氢原子、羟基、酮基、氢和羟基共同饱和)进行修饰后电子特性的改变,计算了能带结构、态密度和电荷差分密度。结果分析表明,不同基团修饰的影响本质上可归结于不同的边缘杂化方式。边缘sp2杂化方式对GNRs体系内层原子的电子状态影响很小,没有改变zigzag-GNRs的金属性;而边缘sp3杂化的体系在能带结构中打开了一个带隙,此带隙随纳米带宽度的增加而逐渐减小。其中GNRs-H2 体系和GNRs-H2O体系发生了由金属性向半导体性的转变,而GNRs-O体系费米能级升高并且进入了导带,依然呈现金属性。利用这种边缘修饰非常易于调控GNRs的电子能带结构。

关 键 词:石墨烯纳米带   电子特性   密度泛函

First-principles calculations of electronic properties for Edge-Modified Graphene Nanoribbons
Jiang Fan and He Shan. First-principles calculations of electronic properties for Edge-Modified Graphene Nanoribbons[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2011, 28(6): 1137-1142
Authors:Jiang Fan and He Shan
Abstract:
Keywords:graphene nanoribbons   electronic properties   DFT
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