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微孔[Me4N]2HgGe4S10的溶剂热合成与表征
引用本文:朱阳春,白音孟和,刘新,贾翠英,刘晓阳,安永林.微孔[Me4N]2HgGe4S10的溶剂热合成与表征[J].化学学报,2006,64(5).
作者姓名:朱阳春  白音孟和  刘新  贾翠英  刘晓阳  安永林
作者单位:(大连理工大学化学系 大连116024);(吉林大学无机合成与制备国家重点实验室 长春130012)
摘    要:用溶剂热方法合成了Me4N]2HgGe4S10, 通过单晶X射线衍射, IR, DSC-TG手段对其进行了表征. 结果表明, 标题化合物属四方晶系, I-4空间群, 晶胞参数a=0.92687(8) nm, c=1.43739(12) nm, V=1.23484(18) nm3, Z=2, Mo Kα λ=0.071073 nm, R1=0.0570, wR2=0.1374, 空旷骨架结构由超四面体Ge4S10与HgS4四面体共用顶点连接而成, 有机模板离子在一维孔道中. 该化合物具有一定的热稳定性, 在320 ℃发生分解形成GeS2.

关 键 词:溶剂热合成  晶体结构  开放骨架  热稳定性
收稿时间:2005-5-18
修稿时间:2005-11-7
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