微孔[Me4N]2HgGe4S10的溶剂热合成与表征 |
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引用本文: | 朱阳春,白音孟和,刘新,贾翠英,刘晓阳,安永林.微孔[Me4N]2HgGe4S10的溶剂热合成与表征[J].化学学报,2006,64(5). |
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作者姓名: | 朱阳春 白音孟和 刘新 贾翠英 刘晓阳 安永林 |
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作者单位: | (大连理工大学化学系 大连116024);(吉林大学无机合成与制备国家重点实验室 长春130012) |
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摘 要: | 用溶剂热方法合成了Me4N]2HgGe4S10, 通过单晶X射线衍射, IR, DSC-TG手段对其进行了表征. 结果表明, 标题化合物属四方晶系, I-4空间群, 晶胞参数a=0.92687(8) nm, c=1.43739(12) nm, V=1.23484(18) nm3, Z=2, Mo Kα λ=0.071073 nm, R1=0.0570, wR2=0.1374, 空旷骨架结构由超四面体Ge4S10与HgS4四面体共用顶点连接而成, 有机模板离子在一维孔道中. 该化合物具有一定的热稳定性, 在320 ℃发生分解形成GeS2.
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关 键 词: | 溶剂热合成 晶体结构 开放骨架 热稳定性 |
收稿时间: | 2005-5-18 |
修稿时间: | 2005-11-7 |
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