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| 最新的超超大规模集成电路工艺技术及其实际情况 | |
| 引用本文： | 荒井英辅,邢雄.最新的超超大规模集成电路工艺技术及其实际情况[J].微电子学,1985(2). |
| 作者姓名： | 荒井英辅 邢雄 |
| 作者单位： | 四川固体研究所电电公社 |
| 摘 要： | 在1983年底国际电子器件会议(＇83IEDM)及1984年的国际团体电路会议(＇84ISSCC)上,发表了 IM位动态存贮器(DRAM)~1 3]和 256K位 MOS静态存贮器(SRAM)~4]技术,在一块芯片上集成了100万只以上元件,从而标志着进入了超超大规模集成电路(ULSI)时代。 在这种ULSI中,由于集成度提高了。最小条宽到了亚微米,于是产生了LSI存 |
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