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| Mo掺杂4H-SiC的磁性和光学性能的第一性原理研究（英文） | |
| 摘 要： | 基于第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波赝势法(PBE),计算了4H-SiC的本征体系、过渡金属元素Mo单掺杂4H-SiC体系的电子结构、磁性和光学特性.结果表明:Mo掺杂将导致4H-SiC由本征非磁性变为p型磁性半导体材料,其带隙值由2.88 e V变为0.55 e V.当Mo掺杂浓度为1.359×10~(21)cm~(-3)时,磁矩为0.98μB,这表明掺Mo后的4H-SiC材料可以作为自旋电子元器件的备选材料.此外,Mo掺杂4H-SiC体系在(100)和(001)方向的静态介电常数分别为3.780和3.969.介质函数虚部不为0的起始点发生红移,表明掺杂使电子更容易跃迁. |
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