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| 新型微电子器件及IC | |
| 引用本文： | 张汉三,梁春广.新型微电子器件及IC[J].半导体技术,1993(4):1-6. |
| 作者姓名： | 张汉三 梁春广 |
| 作者单位： | 电子部第13研究所 石家庄050051 (张汉三)，电子部第13研究所 石家庄050051(梁春广) |
| 摘 要： | 评述了GaAs FET器件以后的新型微电子器件和IC的开发与研究现状,它们包括高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管、硅锗合金基区异质结双极晶体管、真空微电子器件、量子电子器件和光电集成电路.其中,有的已取得可观的实绩,巩固了阵地,有的虽然刚崭露头角,但却显示出雄厚的潜力.它们基本代表了半导体微电子器件未来的发展方向. |
| 关 键 词： | 场效应晶体管 集成电路 砷化镓 |
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