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| 弯曲应变下单根GaAs纳米线的电学性能的原位透射电子显微镜研究 | |
| 引用本文： | 高攀,王疆靖,王晓东,廖志明,邵瑞文,郑坤,韩晓东,张泽. 弯曲应变下单根GaAs纳米线的电学性能的原位透射电子显微镜研究[J]. 电子显微学报, 2015, 0(2): 89-93 |
| 作者姓名： | 高攀 王疆靖 王晓东 廖志明 邵瑞文 郑坤 韩晓东 张泽 |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学 固体微结构与性能研究所,北京,100124 2. 北京工业大学 固体微结构与性能研究所，北京100124; 中国人民武装警察部队学院 基础部物理教研室，河北 廊坊 065000 3. 澳大利亚昆士兰大学 机械与采矿学院材料系，澳大利亚 布里斯班 4072 4. 浙江大学 电镜中心，材料科学与工程学院，浙江 杭州310027 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No．11374029)；全国优秀博士学位论文作者专项资金资助项目(No．201214)；北京市科技新星项目(No． Z121103002512017)；国家自然科学基金重点项目(No．11234011)；北京市教委项目(No． KM201310005009)． |
| 摘 要： | 在透射电子显微镜下,对单根GaAs纳米线实施了原位弯曲变形并获得了其弯曲变形下的电输运性能特性。本研究中,利用扫描透射探针系统和电子束诱导碳沉积技术,选取了单根GaAs纳米线并将纳米线两端与两根钨针尖连接固定。控制可移动的钨针尖,使GaAs纳米线发生弯曲变形同时获得相应的电流-电压曲线。有限元分析表明当纳米线的两端都固定时,纳米线同时承受了压缩应变和拉伸应变,其中压缩应变分布更为广泛。随着变形增加,GaAs纳米线的电导率增加了55%,这可能归因于弯曲变形下压缩与拉伸应变对GaAs纳米线能带结构的共同作用。 |
| 关 键 词： | 砷化镓纳米线 压阻效应 应变 电导率 |
In situ study on transport property of bending GaAs nanowires in transmission electron microscope |
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| GAO Pan,WANG Jiangjing,WANG Xiaodong,LIAO Zhiming,SHAO Ruiwen,ZHENG Kun,HAN Xiaodong,ZHANG Ze. In situ study on transport property of bending GaAs nanowires in transmission electron microscope[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2015, 0(2): 89-93 | |
| Authors: | GAO Pan WANG Jiangjing WANG Xiaodong LIAO Zhiming SHAO Ruiwen ZHENG Kun HAN Xiaodong ZHANG Ze |
| Affiliation: | GAO Pan;WANG Jiang-jing;WANG Xiao-dong;LIAO Zhi-ming;SHAO Rui-wen;ZHENG Kun;HAN Xiao-dong;ZHANG Ze;Institute of Microstructure and Properties of Advanced Materials,Beijing University of Technology;Basic Course Teaching Department,the Armed Police Academy;School of Mechanical and Mining Engineering,The University of Queensland;Department of Materials Science,Zhejiang University; |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaAs nanowires piezoresistance strain conductivity |
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