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基于朗缪尔探针的硅离子空间分布特性及纳米晶粒生长过程研究
引用本文:邓泽超,刘海燕,张晓龙,褚立志,丁学成,秦爱丽,王英龙.基于朗缪尔探针的硅离子空间分布特性及纳米晶粒生长过程研究[J].人工晶体学报,2013,42(12):2686-2690.
作者姓名:邓泽超  刘海燕  张晓龙  褚立志  丁学成  秦爱丽  王英龙
作者单位:河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,保定071002;河北大学工商学院,保定,071002
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)前期专项基金(2011CB612305);河北省自然科学基金(E2011201134,E2012201035);河北省高等学校科学研究项目(Q2012084)
摘    要:在室温、10 Pa氩气环境气体中,采用脉冲激光烧蚀技术,在以烧蚀点为圆心、半径为2 cm的玻璃弧形支架的不同角度处放置衬底,沉积了纳米Si晶薄膜.通过扫描电子显微镜、拉曼散射仪对制备样品的形貌和特性进行分析.结果表明:纳米Si晶粒以羽辉轴线为轴呈对称分布,在轴线处平均尺寸最大,随着衬底同轴线夹角的增加,晶粒尺寸逐渐减小.结合朗缪尔探针对空间不同位置羽辉中Si离子密度和热运动温度分布的诊断情况,从晶粒生长过程的角度对其尺寸随空间位置变化的结果进行了研究,得到了晶粒尺寸正比于烧蚀粒子密度和热运动温度的结论.

关 键 词:纳米Si晶薄膜  脉冲激光烧蚀  空间分布  朗缪尔探针  

Growth Process of Si Nanoparticles and Spatial Distribution of Si Ions Based on Langmuir Probe Diagnosis
DENG Ze-chao,LIU Hai-yan,ZHANG Xiao-long,CHU Li-zhi,DING Xue-cheng,QIN Ai-li,WANG Ying-long.Growth Process of Si Nanoparticles and Spatial Distribution of Si Ions Based on Langmuir Probe Diagnosis[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(12):2686-2690.
Authors:DENG Ze-chao  LIU Hai-yan  ZHANG Xiao-long  CHU Li-zhi  DING Xue-cheng  QIN Ai-li  WANG Ying-long
Abstract:
Keywords:
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