| 氮化镓晶体的氨热法生长进展 |
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| 引用本文： | 何小玲,张昌龙,周海涛,左艳彬,覃世杰,王金亮.氮化镓晶体的氨热法生长进展[J].人工晶体学报,2013,42(7):1293-1298. |
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| 作者姓名： | 何小玲 张昌龙 周海涛 左艳彬 覃世杰 王金亮 |
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| 作者单位： | 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司广西超硬材料重点实验室,国家特种矿物材料工程技术研究中心,桂林541004 |
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| 基金项目： | 广西自然科学基金重点??桂科自0991005Z) |
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| 摘 要： | GaN作为性能最为优异的第三代半导体材料,其高质量的衬底材料的研发是目前乃至近5年的研究热点,而最好的衬底材料即为GaN体单晶.在为数不多的GaN体单晶的几种生长方法中,氨热法被普遍认为是生长GaN体单晶的一种很有前途的方法.本文主要论述了在不同矿化剂生长条件下GaN晶体的氨热法生长进展,指出了存在的问题,并给出了一些解决办法.
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| 关 键 词： | 氮化镓 氨热法 进展 |
Progress of the Ammonothermal Growth of GaN Crystals |
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| HE Xiao-ling,ZHANG Chang-long,ZHOU Hai-tao,ZUO Yan-bin,QIN Shi-jie,WANG Jin-liang.Progress of the Ammonothermal Growth of GaN Crystals[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(7):1293-1298. |
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| Authors: | HE Xiao-ling ZHANG Chang-long ZHOU Hai-tao ZUO Yan-bin QIN Shi-jie WANG Jin-liang |
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