| 选择性刻蚀碳化硅制备金刚石的研究 |
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| 引用本文： | 王正鑫,卢文壮,黄群超,王晗,胥军,左敦稳. 选择性刻蚀碳化硅制备金刚石的研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(8): 1537-1542 |
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| 作者姓名： | 王正鑫 卢文壮 黄群超 王晗 胥军 左敦稳 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学机电学院,南京210016;江苏省精密与微细制造技术重点实验室,南京210016;南京航空航天大学机电学院,南京,210016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51075211、51275230);教育部博士点基金项目(20113218110018);江苏省高校优势学科建设工程资助项目 |
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| 摘 要： | 在高温下Cl2+ H2体系可促使SiC转化为金刚石.论文从热力学角度分析了Cl2选择性亥蚀SiC制备金刚石时,Cl2和H2对sp2、sp3杂化形式的C-C键的作用机制,从理论上推导了SiC转化为金刚石的气源中Cl2、H2比例范围.建立了SiC结构向金刚石结构转变时形成金刚石团簇的理论模型,根据该模型解释了SCDD膜的增厚机制.
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| 关 键 词： | 金刚石 碳化硅 氯气 热力学 选择性刻蚀, |
Preparation of Silicon Carbide Derived Diamond by Selective Etching |
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| WANG Zheng-xin,LU Wen-zhuang,HUANG Qun-chao,WANG Han,XU Jun,ZUO Dun-wen. Preparation of Silicon Carbide Derived Diamond by Selective Etching[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(8): 1537-1542 |
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| Authors: | WANG Zheng-xin LU Wen-zhuang HUANG Qun-chao WANG Han XU Jun ZUO Dun-wen |
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