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Ba2TiSi2O8晶体的生长及包裹物缺陷分析
引用本文:刘小凤,魏庆科,喻建兵,胡晓琳,庄乃锋,林树坤,陈建中.Ba2TiSi2O8晶体的生长及包裹物缺陷分析[J].人工晶体学报,2013,42(12):2495-2499.
作者姓名:刘小凤  魏庆科  喻建兵  胡晓琳  庄乃锋  林树坤  陈建中
作者单位:福州大学化学化工学院,福州,350116
基金项目:国家自然科学基金(50902022,51272044);福建省自然科学基金(2013J01180,2012J01033)
摘    要:采用提拉法生长了Ba2TiSi2O8 (BST)晶体,并采用SEM和EDS等手段对晶体内部包裹物缺陷进行了分析.发现多晶原料中的Na,K,C1杂质元素的存在是导致晶体内部产生包裹物缺陷的主要诱因,采用低的生长速率和较快的晶体转速有利于获得高质量BTS单晶.另外,本论文还对晶体的硬度和透过光谱进行了测试与分析.

关 键 词:Ba2TiSi2O8  提拉法  晶体缺陷  硬度  

Growth and Inclusion Defect Analysis of Ba2TiSi2O8 Crystal
LIU Xiao-feng,WEI Qing-ke,YU Jian-bing,HU Xiao-lin,ZHUANG Nai-feng,LIN Shu-kun,CHEN Jian-zhong.Growth and Inclusion Defect Analysis of Ba2TiSi2O8 Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(12):2495-2499.
Authors:LIU Xiao-feng  WEI Qing-ke  YU Jian-bing  HU Xiao-lin  ZHUANG Nai-feng  LIN Shu-kun  CHEN Jian-zhong
Abstract:
Keywords:
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