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| 衬底温度对nc-Si∶H薄膜微结构和氢键合特征的影响 | |
| 作者姓名： | 陈乙豪 蒋冰 马蕾 李钗 彭英才 |
| 作者单位： | 河北大学电子信息工程学院,保定,071002 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61204079);河北省自然科学基金(E2012201088,F2013201196);河北省高等学校科学技术研究项目(2011237,ZH2012019) |
| 摘 要： | 采用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以H2和SiH4作为反应气体源,在不同的衬底温度下沉积了nc-Si∶H薄膜.采用Raman散射、X射线衍射、红外吸收等技术分析了薄膜的微结构和氢键合特征.结果表明,随衬底温度的升高,nc-Si∶H薄膜的沉积速率不断增大,晶化率和晶粒尺寸增加,纳米硅颗粒呈现出Si(111)晶面的择优生长趋势.键合特性显示,薄膜中的氢含量随衬底温度升高而逐渐减小,薄膜均匀性先增大后减小. |
| 关 键 词： | nc-Si∶H薄膜 射频等离子体增强型化学气相沉积 衬底温度 氢键合, |
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