| Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展 |
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| 引用本文： | 周明斌,李振荣,李静思,吴熙,范世马豈,徐卓. Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(10): 1983-1991 |
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| 作者姓名： | 周明斌 李振荣 李静思 吴熙 范世马豈 徐卓 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,西安,710049 |
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| 摘 要： | 以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础.高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈.在GaN体单晶的几种生长方法中,由于Na助熔剂法的生长条件相对温和且成本相对较低,近年来发展较快.本文从Na助熔剂法的原理、生长工艺、助熔剂种类以及得到晶体尺寸和质量等几方面进行了综述,分析了目前Na助熔剂法生长GaN单晶中的技术问题并提出了进一步研究的一些建议.
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| 关 键 词： | 氮化镓 体单晶 Na助熔剂法 进展, |
Research Progress of GaN Crystal Grown by Na Flux Method |
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| ZHOU Ming-bin,LI Zhen-rong,LI Jing-si,WU Xi,FAN Shi-ji,XU Zhuo. Research Progress of GaN Crystal Grown by Na Flux Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(10): 1983-1991 |
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| Authors: | ZHOU Ming-bin LI Zhen-rong LI Jing-si WU Xi FAN Shi-ji XU Zhuo |
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