| 化学浴法制备CdS薄膜及其光电性能研究 |
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| 引用本文： | 焦静,沈鸿烈,王威,江丰. 化学浴法制备CdS薄膜及其光电性能研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(7): 1299-1304 |
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| 作者姓名： | 焦静 沈鸿烈 王威 江丰 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61176062);江苏高校优势学科建设工程资助项目 |
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| 摘 要： | 本文用氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系采用化学浴沉积法合成CdS薄膜,制备出均匀、致密的CdS薄膜,通过XRD、SEM、EDS、紫外可见吸收光谱等表征手段研究了CdS薄膜的晶体结构,表面形貌,元素比例和光电性能.发现在不同水浴温度下都成功制备了CdS薄膜,其中75℃制备的CdS薄膜最为均匀致密且其XRD衍射峰强度最强,光吸收边在500 nm附近,禁带宽度大约为2.52 eV.这些CdS薄膜的光电响应大,暗态及光照下的电导率分别为1×10-4S·cm-1和1.04×10-2 S · cm-1.用它们制备的CdS/CZTS异质结太阳电池具有明显的光伏效应.
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| 关 键 词： | 化学浴沉积法 CdS薄膜 光吸收 光电响应 电导率, |
Study on Preparation and Photoelectric Properties of CdS Thin Films by Chemical Bath Deposition |
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| JIAO Jing,SHEN Hong-lie,WANG Wei,JIANG Feng. Study on Preparation and Photoelectric Properties of CdS Thin Films by Chemical Bath Deposition[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(7): 1299-1304 |
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| Authors: | JIAO Jing SHEN Hong-lie WANG Wei JIANG Feng |
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