| 固结磨料研磨SiC晶片亚表面损伤截面显微检测技术 |
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| 引用本文： | 张银霞,杨乐乐,郜伟,苏建修.固结磨料研磨SiC晶片亚表面损伤截面显微检测技术[J].人工晶体学报,2013,42(5):906-910. |
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| 作者姓名： | 张银霞 杨乐乐 郜伟 苏建修 |
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| 作者单位： | 郑州大学机械工程学院,郑州,450001;河南科技学院机电学院,新乡,453003 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51075125);河南省教育厅自然科学研究资助项目(13B460361) |
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| 摘 要： | 本文对采用截面显微检测法检测SiC晶片亚表面损伤时样品的制备、腐蚀液配方及腐蚀环境进行了系统地研究,并重点分析了固结磨料研磨SiC晶片(0001) Si面和(0001)C面亚表面损伤的深度及微裂纹构型.结果表明,采用腐蚀液配方为KOH:K2CO3 =20 g∶1 g,在420℃下腐蚀3min时亚表面损伤观测效果较好.在研磨压力为2 psi、金刚石磨粒粒径14 μm时,固结磨料研磨SiC晶片的亚表面损伤层深度约为2.6 μn,亚表面微裂纹构型有垂线状、斜线状、钩状、叉状、树枝状、人字状以及横线状.在相同的加工条件下,SiC晶片的(0001) Si面和(0001)C面的损伤深度基本相同.
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| 关 键 词： | SiC晶片 截面显微法 亚表面损伤 固结磨料研磨 |
Cross-sectional Microscopy Detection Technology for Subsurface Damage of Fixed Abrasive Lapped SiC Wafers |
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| ZHANG Yin-xia,YANG Le-le,GAO Wei,SU Jian-xiu.Cross-sectional Microscopy Detection Technology for Subsurface Damage of Fixed Abrasive Lapped SiC Wafers[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(5):906-910. |
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| Authors: | ZHANG Yin-xia YANG Le-le GAO Wei SU Jian-xiu |
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